參數(shù)資料
型號: SI4403DY
廠商: Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述: P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
中文描述: P通道的1.8 V(GS)的MOSFET的
文件頁數(shù): 4/4頁
文件大小: 39K
代理商: SI4403DY
Si4403DY
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 71683
S-04393
Rev. A, 13-Aug-01
0.4
0.2
0.0
0.2
0.4
50
25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
Temperature ( C)
0
24
40
8
16
P
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
Time (sec)
32
10
3
10
2
1
10
600
10
1
10
4
100
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 71 C/W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
10
3
10
2
1
10
10
1
10
4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1
100
10
10
1
10
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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SI4403DY-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
SI4403DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 20 Volt 9.0 Amp 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4404DY 功能描述:MOSFET 30V 23A 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4404DY-E3 功能描述:MOSFET 30V 23A 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube