參數(shù)資料
型號(hào)： SI4394DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel Reduced Qdg, Fast Switching WFET
中文描述： N溝道減少Q(mào)dg，快速開關(guān)WFET
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 70K
代理商： SI4394DY
Si4394DY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72713
S-40442—Rev. A, 15-Mar-04
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
r
D
)
0
440
880
1320
1760
2200
0
6
12
18
24
30
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
6
0
3
6
9
12
15
18
0.000
0.003
0.006
0.009
0.012
0.015
0
10
20
30
40
50
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 15 V
I
D
= 15 A
I
D
Drain Current (A)
V
GS
= 10 V
I
D
V
GS
= 10 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
Q
g
Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
Junction Temperature ( C)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.000
0.008
0.016
0.024
0.032
0.040
0
2
4
6
8
10
T
J
= 25 C
I
D
= 15 A
60
10
0.1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
r
D
)
V
SD
Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
I
S
V
GS
= 4.5 V
1
T
J
= 150 C
r
D
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4394DY-E3 N-Channel Reduced Qdg, Fast Switching WFET
SI4394DY-T1-E3 N-Channel Reduced Qdg, Fast Switching WFET
SI4403DY P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI4403BDY P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI4403BDY-T1 P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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