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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SI4392DY-E3 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET |
| 中文描述： | N溝道減少Q(mào)g和快速切換WFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 55K |
| 代理商： | SI4392DY-E3 |
Si4392DY
Vishay Siliconix
Document Number: 72151
S-41427—Rev. D, 26-Jul-04
www.vishay.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
10
3
10
2
1
10
10
1
10
4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4392DY-T1 | N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET |
| SI4392DY-T1-E3 | N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET |
| SI4392DY | N-Ch. Reduced Qg, Fast Switching WFET; Extr.Low Switching Loss |
| SI4394DY | N-Channel Reduced Qdg, Fast Switching WFET |
| SI4394DY-E3 | N-Channel Reduced Qdg, Fast Switching WFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI4392DY-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 12.5A 3.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4392DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 12.5A 3.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4394DY | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI4394DY_05 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI4394DY-E3 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel Reduced Qdg, Fast Switching WFET |
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