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參數(shù)資料
| 型號： | SI4370DY |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| 中文描述： | 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/9頁 |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | SI4370DY |
Si4370DY
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
Document Number: 72022
S-32621—Rev. C, 29-Dec-03
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
MOSFET CHANNEL-1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0
2
4
6
8
10
T
J
= 150 C
I
D
= 7.5 A
20
10
0.1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
r
D
)
V
SD
Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
I
S
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.2
0.4
50
25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
Temperature ( C)
Safe Operating Area, Junction-to-Foot
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
100
1
0.1
1
10
100
0.01
10
100 ms
I
D
0.1
Limited
by r
DS(on)
T
= 25 C
Single Pulse
1 s
10 s
dc
1
T
J
= 25 C
10 ms
1 ms
0
60
100
20
40
P
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
Time (sec)
80
1
10
10
1
10
2
10
3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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