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參數(shù)資料
| 型號： | SI4370DY |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| 中文描述： | 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 91K |
| 代理商： | SI4370DY |
Si4370DY
Vishay Siliconix
Document Number: 72022
S-32621—Rev. C, 29-Dec-03
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
MOSFET CHANNEL-1
0
240
480
720
960
1200
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
V
GS
= 10 thru 5 V
T
C
= 125 C
55 C
25 C
Output Characteristics
Transfer Characteristics
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
3 V
r
D
)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
0
3
6
9
12
15
0.000
0.010
0.020
0.030
0.040
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
V
DS
= 15 V
I
D
= 7.5 A
I
D
Drain Current (A)
V
GS
= 10 V
I
D
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
Gate Charge
Q
g
Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
Junction Temperature ( C)
(
r
D
C
oss
C
iss
4 V
On-Resistance vs. Drain Current
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PDF描述 |
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