參數資料
型號： SI4368DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET
中文描述： N溝道減少Qg和快速切換WFET
文件頁數： 3/5頁
文件大小： 70K
代理商： SI4368DY
Si4368DY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72704
S-40105—Rev. A, 02-Feb-04
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
2000
4000
6000
8000
10000
0
5
10
15
20
25
30
0.000
0.001
0.002
0.003
0.004
0.005
0
10
20
30
40
50
0
1
2
3
4
5
6
0
15
30
45
60
75
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
C
rss
V
DS
= 15 V
I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V
I
D
V
GS
= 10 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
Q
g
Total Gate Charge (nC)
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
r
D
)
I
D
Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
Junction Temperature ( C)
(
r
D
V
GS
= 4.5 V
1.0
1.2
0.000
0.002
0.004
0.006
0.008
0.010
0
2
4
6
8
10
0.1
10
60
I
D
= 25 A
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
T
J
= 150 C
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
r
D
)
V
SD
Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
I
S
C
oss
C
iss
1
T
J
= 25 C
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PDF描述
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