參數(shù)資料
型號： Si4368DY-T1-E3
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET
中文描述： N溝道減少Q(mào)g和快速切換WFET
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 70K
代理商： SI4368DY-T1-E3
Si4368DY
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 72704
S-40105—Rev. A, 02-Feb-04
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
10
2
30
60
10
20
P
Single Pulse Power
Time (sec)
40
50
10
3
10
2
1
10
600
10
1
10
4
100
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 67 C/W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
1
100
600
10
10
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.2
0.4
50
25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
Temperature ( C)
Safe Operating Area, Junction-to-Case
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
100
1
0.01
10
1
10
100
0.01
10
1 s
0.1
T
= 25 C
Single Pulse
10 ms
100 ms
dc
0.1
Limited by r
DS(on)
10 s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4368DY N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET
SI4370DY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4378DY N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Si4378DY-E3 N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Si4378DY-T1-E3 N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI4368DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 25A 3.5W 3.2mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4370DY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4376DY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4376DY-T1 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4378DY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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