參數(shù)資料
型號： SH8G41
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA HIGH−SPEED THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 171K
代理商： SH8G41
SH8G41
2001-07-10
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Ta = 25°C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN
MAX
UNIT
Repetitive Peak Off
State and Reverse
Current
I
DRM
I
RRM
V
DRM
= V
RRM
= 400V
―
250
μA
Peak On
State Voltage
V
TM
I
TM
= 25A
―
2.3
V
Gate Trigger Voltage
V
GT
―
1.5
V
Gate Trigger Current
I
GT
V
D
= 6V, R
L
= 10
―
50
mA
Gate Non
Trigger Voltage
V
GD
V
D
= 200V, Ta = 125°C
0.2
―
V
Holding Current
I
H
R
L
= 100
―
150
mA
Commutating Capacitor
C
c
C
M
= 1000μF, V
CM
= 350V, I
TM
= 230A
L
M
= 50μH, V
GR
=
6V
―
2.7
μF
Thermal Resistance
R
th (j
a)
Junction to Ambient
―
90
°C / W
MARKING
NUMBER
SYMBOL
MARK
*1
TYPE
SH8G41
SH8G41
*2
Example
8A : January 1998
8B : February 1998
8L : December 1998
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PDF描述
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