參數(shù)資料
型號： SDE25X26-5A2G
廠商： SIEMENS A G
元件分類： DRAM
英文描述： OSC 5V SMT 7X5 CMOS PROGRM
中文描述： 256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8
封裝： PLASTIC, DSO-8
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 232K
代理商： SDE25X26-5A2G
SDE 2526
Semiconductor Group
86
Block Diagram
相關PDF資料
PDF描述
SDE2526-5 Nonvolatile Memory 2-Kbit E2PROM with I2C Bus Interface with Extended Temperature Range
SDE2526-5A2G Nonvolatile Memory 2-Kbit E2PROM with I2C Bus Interface with Extended Temperature Range
SDH10KS High Density,High Voltage,Standard Recovery Rectifier(反向電壓10000V，溫度25℃時平均正向電流2.5A,高密度,高電壓,標準恢復整流器)
SDH5KS High Density,High Voltage,Standard Recovery Rectifier(反向電壓5000V，溫度25℃時平均正向電流2.5A,高密度,高電壓,標準恢復整流器)
SDH15KM High Density,High Voltage,Standard Recovery Rectifier(反向電壓15000V，溫度25℃時平均正向電流1A,高密度,高電壓,標準恢復整流器)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SDE25X26A2 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Nonvolatile Memory 2-Kbit E2PROM with I2C Bus Interface with Extended Temperature Range
SDE6603-100M 功能描述:固定電感器 10@ 100 KHz20% Tol. SRF (MHz) Typ.35 RoHS:否 制造商:AVX 電感:10 uH 容差:20 % 最大直流電流:1 A 最大直流電阻:0.075 Ohms 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 自諧振頻率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:6.6 mm x 4.45 mm
SDE6603-100M 制造商:Bourns Inc 功能描述:POWER INDUCTOR
SDE6603-101M 功能描述:固定電感器 100@ 100 KHz20% Tol. SRF (MHz) Typ.9 RoHS:否 制造商:AVX 電感:10 uH 容差:20 % 最大直流電流:1 A 最大直流電阻:0.075 Ohms 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 自諧振頻率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:6.6 mm x 4.45 mm
SDE6603-101M 制造商:Bourns Inc 功能描述:POWER INDUCTOR
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*