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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S326SYGWA-S530-E2 |
| 廠商： | Everlight Electronic Co., Ltd. |
| 英文描述： | Technical Data Sheet 0.28 single digit Displays |
| 中文描述： | 技術(shù)數(shù)據(jù)表0.28單個(gè)數(shù)字顯示 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 138K |
| 代理商： | S326SYGWA-S530-E2 |
EVERLIGHT ELECTRONICS CO.,LTD.
Technical Data Sheet
0.28" Singlel Digit Displays
ELS-326SYGWA/S530-E2
█
Absolute maximum ratings at Ta = 25
℃：
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse Voltage
V
R
5
V
Forward Current
I
F
25
mA
Operating Temperature
Topr
-40 to +85
℃
Storage Temperature
Tstg
-40 to +100
℃
Soldering Temperature
Tsol
260 ± 5
℃
Electrostatic Discharge
ESD
2000
V
Power Dissipation
Pd
60
mW
Peak Forward Current(Duty 1/10
@ 1KH
Z
)
I
F
(Peak)
160
mA
█
Electronic optical characteristics :
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Condition
----
1.8
----
I
F
=2mA
2.8
6.4
----
I
F
=10mA
----
0.4
----
I
F
=2mA
0.8
1.5
----
I
F
=10mA
Peak Wavelength
λ
p
----
575
----
nm
I
F
=20mA
Dominant Wavelength
λ
d
----
573
----
nm
I
F
=20mA
Spectrum Radiation
Bandwidth
△
λ
----
20
----
nm
I
F
=20mA
Forward Voltage
V
F
-----
2.0
2.4
V
I
F
=20mA
Reverse Current
I
R
----
----
100
μA
V
R
=5V
EVERLIGHT ELECTRONICS CO.,LTD.
http : //www.everlight.com
Rev. : 1
Page: 3 of 5
Device Number :CDDS-326-007
Prepared date:2004/07/08
Prepared by: Yanfang Gao
Luminous
Intensity
Per segment
Iv
mcd
Per decimal point
mcd
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S350P | Silicon NPN Phototransistor(用于檢測(cè)器，集電極電流50mA的NPN光晶體管) |
| S350P | Silicon NPN Phototransistor |
| S391D | Silicon PIN Diode |
| S392 | Silicon PIN Diode |
| S392D | Silicon PIN Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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