參數(shù)資料
型號： S29JL032H90TAI223
廠商： ADVANCED MICRO DEVICES INC
元件分類： PROM
英文描述： 2M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48
封裝： MO-142DD, TSOP-48
文件頁數(shù)： 51/66頁
文件大?。?/td> 1691K
代理商： S29JL032H90TAI223
March 10, 2005 S29JL032H_00A11
S29JL032H
53
Ad vance
Info rmat i o n
AC Characteristics
Erase and Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the “Erase And Programming Performance” section for more information.
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std
Description
60
70
90
Unit
tAVAV
tWC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
60
70
90
ns
tAVWL
tAS
Address Setup Time
Min
0
ns
tASO
Address Setup Time to OE# low during toggle bit
polling
Min
12
ns
tWLAX
tAH
Address Hold Time
Min
35
40
45
ns
tAHT
Address Hold Time From CE# or OE# high
during toggle bit polling
Min
0
ns
tDVWH
tDS
Data Setup Time
Min
35
40
45
ns
tWHDX
tDH
Data Hold Time
Min
0
ns
tOEPH
Output Enable High during toggle bit polling
Min
20
ns
tGHWL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
tELWL
tCS
CE# Setup Time
Min
0
ns
tWHEH
tCH
CE# Hold Time
Min
0
ns
tWLWH
tWP
Write Pulse Width
Min
25
30
35
ns
tWHDL
tWPH
Write Pulse Width High
Min
25
30
ns
tSR/W
Latency Between Read and Write Operations
Min
0
ns
tWHWH1
Programming Operation (Note 2)
Byte
Typ
4
s
Word
Typ
6
tWHWH1
Accelerated Programming Operation,
Byte or Word (Note 2)
Typ
4
s
tWHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.4
sec
tVCS
VCC Setup Time (Note 1)
Min
50
s
tRB
Write Recovery Time from RY/BY#
Min
0
ns
tBUSY
Program/Erase Valid to RY/BY# Delay
Max
90
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S29WS064N0PBAW011 256/128/64 MEGABIT CMOS 1.8 VOLT ONLY SIMULTANEOUS READ/WRITE BURST MODE FLASH MEMORY
S29WS128N0LBFI111 256/128/64 MEGABIT CMOS 1.8 VOLT ONLY SIMULTANEOUS READ/WRITE BURST MODE FLASH MEMORY
S29WS128N0LBFI112 256/128/64 MEGABIT CMOS 1.8 VOLT ONLY SIMULTANEOUS READ/WRITE BURST MODE FLASH MEMORY
S29WS128N0LBFI113 256/128/64 MEGABIT CMOS 1.8 VOLT ONLY SIMULTANEOUS READ/WRITE BURST MODE FLASH MEMORY
S29WS128N0LBFW011 Test Clip; Current Rating:100A; Body Material:Steel; Features:Unmarked; Jaw Opening Max:1.625"; Overall Length:6" RoHS Compliant: NA
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參數(shù)描述
S29JL032H90TAI310 功能描述:閃存 3V 32Mb Float Gate top boot 2Banks 90s RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
S29JL032H90TAI311 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H90TAI312 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H90TAI313 功能描述:閃存 3V 32M SIMULTANEOUS READ/WRITE FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
S29JL032H90TAI320 功能描述:閃存 3V 32Mb Float Gate btm boot 2Banks 90s RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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