參數(shù)資料
型號(hào)： S25XXXH
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： SCR
中文描述： 可控硅
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 61K
代理商： S25XXXH
1
10
100
1000
I
(A). I
2
t (A
2
s)
TSM
Tj initial = 25 C
ITSM
tp(ms)
I
2
t
Fig.7 :
Nonrepetitive surge peak on-state current
for a sinusoidal pulse with width : tp
≤
10ms, and
correspondingvalue of I
2
t.
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
1
10
100
1000
I
(A)
TM
Tj initial
25 C
Tj max
V
(V)
TM
Tj max
Vto =0.95V
Rt =0.012
Fig.8 :
On-statecharacteristics(maximum values).
S25xxxH
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
S2516MH SCR
S29GL032A30FFI012 64 Megabit, 32 Megabit, and 16 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 200 nm MirrorBit Process Technology
S29GL032A100FAI013 64 Megabit, 32 Megabit, and 16 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 200 nm MirrorBit Process Technology
S29GL032A100FAIR10 64 Megabit, 32 Megabit, and 16 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 200 nm MirrorBit Process Technology
S29GL032A100FAIR12 64 Megabit, 32 Megabit, and 16 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 200 nm MirrorBit Process Technology
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參數(shù)描述
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