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STW18NM60N

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
STW18NM60N PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-channel 600 V 0.27ohms 13A Mdmesh
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
STW18NM60N 技術(shù)參數(shù)
  • STW18NK80Z 功能描述:MOSFET N-CH 800V 19A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):19A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):380 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 150μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):250nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6100pF @ 25V 功率 - 最大值:350W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 STW18NK60Z 功能描述:MOSFET N-CH 600V 16A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):16A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):360 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):170nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3540pF @ 25V 功率 - 最大值:230W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 STW18N65M5 功能描述:MOSFET N CH 650V 15A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):15A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):220 毫歐 @ 7.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):31nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1240pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 STW18N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):13A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):280 毫歐 @ 6.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):21.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):791pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 STW18N60DM2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 12A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):295 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):800pF @ 100V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 STW20N90K5 STW20N95K5 STW20NB50 STW20NK50Z STW20NK70Z STW20NM50 STW20NM50FD STW20NM60 STW20NM60FD STW20NM65N STW21N150K5 STW21N65M5 STW21N90K5 STW21NM50N STW21NM60N STW21NM60ND STW220NF75 STW22N95K5
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