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STGP6NC60HD

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  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
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  • 功能描述
  • IGBT 晶體管 PowerMESH" IGBT
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Fairchild Semiconductor
  • 配置
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • 650 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 2.3 V
  • 柵極/發(fā)射極最大電壓
  • 20 V
  • 在25 C的連續(xù)集電極電流
  • 150 A
  • 柵極—射極漏泄電流
  • 400 nA
  • 功率耗散
  • 187 W
  • 最大工作溫度
  • 封裝 / 箱體
  • TO-247
  • 封裝
  • Tube
STGP6NC60HD 技術(shù)參數(shù)
  • STGP6M65DF2 功能描述:IGBT Trench Field Stop 650V 12A 88W Through Hole TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:M 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:12A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):24A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2V @ 15V，6A 功率 - 最大值:88W 開(kāi)關(guān)能量:40μJ（開(kāi)），136μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:21.2nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:12ns/86ns 測(cè)試條件:400V，6A，22 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:140ns 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 STGP5H60DF 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.95V @ 15V，5A 功率 - 最大值:88W 開(kāi)關(guān)能量:56μJ（開(kāi)），78.5μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:43nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:30ns/140ns 測(cè)試條件:400V，5A，47 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:134.5ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STGP4M65DF2 功能描述:IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS 制造商:stmicroelectronics 系列:M 零件狀態(tài):在售 IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):16A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，4A 功率 - 最大值:68W 開(kāi)關(guān)能量:40μJ（開(kāi)），136μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:15.2nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:12ns/86ns 測(cè)試條件:400V，4A，47 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:133ns 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STGP40V60F 功能描述:IGBT 600V 80A 283W TO220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.3V @ 15V，40A 功率 - 最大值:283W 開(kāi)關(guān)能量:456μJ（開(kāi)），411μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:226nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:52ns/208ns 測(cè)試條件:400V，40A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STGP3NC120HD 功能描述:IGBT 1200V 14A 75W TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:14A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.8V @ 15V，3A 功率 - 最大值:75W 開(kāi)關(guān)能量:236μJ（開(kāi)），290μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:24nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:15ns/118ns 測(cè)試條件:800V，3A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:51ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ST-GTC-16P1-100-(A572) ST-GTC-16P1-3500 ST-GTC-16P2-3500 ST-GTC-16P3-3500 ST-GTC-16S1-100-(A572) ST-GTC-16S1-3500 ST-GTC-16S2-100-(A572) ST-GTC-16S2-3500 STGW10M65DF2 STGW15H120DF2 STGW15H120F2 STGW15M120DF3 STGW15S120DF3 STGW19NC60H STGW19NC60HD STGW19NC60W STGW19NC60WD STGW20H60DF
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免責(zé)聲明：以上所展示的STGP6NC60HD信息由會(huì)員自行提供，STGP6NC60HD內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

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