STD5NM50

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操作

STD5NM50
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯(lián)系人：雷精云
電話：18988598856
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質：營業(yè)執(zhí)照
4978
ST
SOT252
2233+
-
十年專營，供應原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

STD5NM50T4
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯(lián)系人：苗鳳軍
電話：17623594308
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質：營業(yè)執(zhí)照
5395
ST買貨認準我司企業(yè)QQ
TO252
2219+
-
十年專營，供應原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

STD5NM50T4
深圳市安博威科技有限公司
深圳市安博威科技有限公司
聯(lián)系人：吳
電話：18320850923
地址：深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場1713室
73
ST
TO251
13+
-
真芯合作銳意進取

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制造商
STMicroelectronics
功能描述
MOSFET N-Channel 500V 7.5A DPAK

STD5NM50 技術參數

STD5NK60ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:690pF @ 25V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD5NK52ZD-1 功能描述:MOSFET N-CH 520V 4.4A I-PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:520V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.4A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 2.2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16.9nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:529pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:75 STD5NK52ZD 功能描述:MOSFET N-CH 520V 4.4A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:520V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.4A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 2.2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16.9nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:529pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD5NK50ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4.4A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.4A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 2.2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:28nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:535pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD5NK40ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 400V 3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.8 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:305pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD60NH03LT4 STD64N4F6AG STD65N3LLH5 STD65N55F3 STD65N55LF3 STD65NF06 STD6N52K3 STD6N60M2 STD6N62K3 STD6N65M2 STD6N80K5 STD6N90K5 STD6N95K5 STD6NF10T4 STD6NK50ZT4 STD6NM60N STD6NM60N-1 STD70N02L