STD4N62K3

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

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功能描述
MOSFET N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

STD4N62K3 技術(shù)參數(shù)

STD4N52K3 功能描述:MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:525V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.6 歐姆 @ 1.25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:334pF @ 100V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD4LN80K5 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:3.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:122pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.6 歐姆 @ 1A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD47N10F7AG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 45A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，STripFET? F7 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:45A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:18 毫歐 @ 22.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1640pF @ 50V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD46P4LLF6 功能描述:MOSFET P-CH 40V 46A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:46A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 23A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:34nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3525pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD46N6F7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 15A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 7.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1065pF @ 30V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD4NK80Z-1 STD4NK80ZT4 STD4NS25T4 STD50N03L STD50N03L-1 STD50NH02L-1 STD50NH02LT4 STD5100CTR STD5100TR STD5150TR STD5200TR STD52P3LLH6 STD5406NT4G STD5406NT4G-VF01 STD5407NNT4G STD5407NT4G STD55N4F5 STD55NH2LLT4