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STB12NM50

配單專家企業(yè)名單
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  • STB12NM50ND
    STB12NM50ND

    STB12NM50ND

  • 航億捷科技有限公司
    航億捷科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話：13714898947

    地址：福田區(qū)華強(qiáng)廣場C座8F

  • 0

  • 19+

  • 3000

  • TO263

  • -

  • STB12NM50N
    STB12NM50N

    STB12NM50N

  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話：0755-830415598397218513430523058

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北都會大廈A座19樓19G

  • 8755

  • TO

  • 12+

  • -

  • 絕對公司原裝現(xiàn)貨

  • STB12NM50T4
    STB12NM50T4

    STB12NM50T4

  • 深圳市安博威科技有限公司
    深圳市安博威科技有限公司

    聯(lián)系人：吳

    電話：18320850923

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場1713室

  • 3000

  • STM

  • TO-263-3 (D2PAK)

  • 19+/20+

  • -

  • 只做原裝，型號齊全，價格優(yōu)惠。

  • STB12NM50T4
    STB12NM50T4

    STB12NM50T4

  • 北京力通科信電子有限公司
    北京力通科信電子有限公司

    聯(lián)系人：韓小姐

    電話：13661385246

    地址：北京市海淀區(qū)知春路118號知春大廈B座1504室，新中發(fā)電子市場B1303-b1305柜臺

  • 25

  • ST

  • TO-263

  • 04+

  • -

  • 100%公司原裝現(xiàn)貨 只做原裝 1366...

  • STB12NM50
    STB12NM50

    STB12NM50

  • 深圳市企諾德電子有限公司
    深圳市企諾德電子有限公司

    聯(lián)系人：胡

    電話：13480313979

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1002號賽格廣場54樓5403B-5404AB

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • ST

  • N/A

  • 22+

  • -

  • 原裝正品 專業(yè)BOM配單

  • STB12NM50
    STB12NM50

    STB12NM50

  • 深圳市華金瑞電子有限公司
    深圳市華金瑞電子有限公司

    聯(lián)系人：劉

    電話：15323844149

    地址：中航路華強(qiáng)電子世界三店佳和電子市場

  • 300

  • ST

  • TO-263原帶

  • 00

  • -

  • 100%原裝！優(yōu)勢現(xiàn)貨庫存

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  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
STB12NM50 技術(shù)參數(shù)
  • STB12NK80ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:750 毫歐 @ 5.25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:87nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2620pF @ 25V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB120NF10T4 功能描述:MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:110A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10.5 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:233nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5200pF @ 25V 功率 - 最大值:312W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB120N4LF6 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4300pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB120N4F6 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:65nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3850pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB11NM80T4 功能描述:MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:43.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1630pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB130NS04ZBT4 STB13N60M2 STB13N80K5 STB13NK60ZT4 STB13NM50N STB13NM50N-1 STB13NM60N STB140N4F6 STB140NF55T4 STB140NF75T4 STB141NF55 STB141NF55-1 STB14N80K5 STB14NK50Z-1 STB14NK50ZT4 STB14NK60ZT4 STB14NM50N STB14NM65N
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