SI3865DDV-T1-GE3

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制造商
Vishay Semiconductors
功能描述
CNAD SWITCH WITH LEVEL-SHIFT - Tape and Reel
制造商
Vishay Siliconix
功能描述
IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6TSOP
制造商
Vishay Intertechnologies
功能描述
N / P-Channel 12 V 0.054 O Surface Mount Mosfet Load Switch - TSOP-6
制造商
Vishay Intertechnologies
功能描述
Dual N / P-Channel 12 V 0.054 O Surface Mount Mosfet Load Switch - TSOP-6
制造商
Vishay Intertechnologies
功能描述
Power Switch ICs - Power Distribution 12V 2.8A .83W

SI3865DDV-T1-GE3 技術參數(shù)

SI3865CDV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 2.8A 0.83W 60mohm @ 4.5V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube SI3865CDV-T1-E3 功能描述:MOSFET 1.8-12V 2.8A 1.5-8V Logic Level RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube SI3865BDV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 8.0V 2.9A 0.83W 60mohm @ 4.5V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube SI3865BDV-T1-E3 功能描述:MOSFET 8V 2.9A 0.06Ohm RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube SI3861BDV-T1-GE3 功能描述:模擬開關 IC 20V 2.3A 0.83W 145mohm @ 4.5V RoHS:否制造商:Texas Instruments 開關數(shù)量:2 開關配置:SPDT 開啟電阻（最大值）:0.1 Ohms 切換電壓（最大）: 開啟時間（最大值）: 關閉時間（最大值）: 工作電源電壓:2.7 V to 4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DSBGA-16 SI3909DV-T1-GE3 SI3911DV-T1-E3 SI3932DV-T1-GE3 SI3948DV-T1-E3 SI3948DV-T1-GE3 SI3951DV-T1-E3 SI3951DV-T1-GE3 SI3981DV-T1-E3 SI3981DV-T1-GE3 SI3983DV-T1-E3 SI3983DV-T1-GE3 SI3993CDV-T1-GE3 SI3993DV-T1-E3 SI3993DV-T1-GE3 SI4004DY-T1-GE3 SI4010-B1-GS SI4010-B1-GT SI4010-C2-GS