SZP6SMB12AT3G

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封裝
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說明
操作

SZP6SMB12AT3G
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6000
ON Semiconductor
標(biāo)準(zhǔn)封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

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制造商
ON Semiconductor
功能描述
ZEN SMB TVS 600W 12V TR F - Tape and Reel

SZP6SMB12AT3G 技術(shù)參數(shù)

SZNUD3160LT1G 功能描述:功率驅(qū)動器IC MI INDSTR LOAD DRVR RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube SZNUD3160DMT1G 功能描述:功率驅(qū)動器IC 60V DUAL INDUCTIVE LOAD D RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube SZNUD3124LT1G 功能描述:功率驅(qū)動器IC MI INDCTV LOAD DRVR RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube SZNUD3124DMT1G 功能描述:功率驅(qū)動器IC 24 V DUAL INDUCTIVE LOAD RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube SZL-WL-K-N 功能描述:SWITCH SNAP ACTION SPDT 10A 125V 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:SZL-WL 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電路:SPDT-DB 開關(guān)功能:開-瞬時額定電流:10A（AC），6A（DC）額定電壓 - AC:125V 額定電壓 - DC:30V 致動器類型:螺旋彈簧安裝類型:底座安裝端子類型:螺絲端子侵入防護(hù):IP67 - 防塵，防水特性:- 操作力，扭矩:150gf 釋放力:- 預(yù)行程:0.787"（20.0mm）差動行程:- 超行程:- 工作位置:0.787"（20.0mm）機(jī)械壽命:10，000，000 次循環(huán) 電氣壽命:750，000 次循環(huán) 工作溫度:-10°C ~ 80°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 SZP6SMB180AT3G SZP6SMB18AT3G SZP6SMB18CAT3G SZP6SMB200AT3G SZP6SMB20AT3G SZP6SMB20CAT3G SZP6SMB22AT3G SZP6SMB22CAT3G SZP6SMB24AT3G SZP6SMB24CAT3G SZP6SMB27AT3G SZP6SMB27CAT3G SZP6SMB30AT3G SZP6SMB30CAT3G SZP6SMB30SAT3G SZP6SMB33AT3G SZP6SMB33CAT3G SZP6SMB36AT3G