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STU5712T

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STU5712T 技術(shù)參數(shù)
  • STU4N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2.5 歐姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):10.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):175pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:IPAK(TO-251) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STU4N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 3.8A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):620V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3.8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2 歐姆 @ 1.9A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):22nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):550pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STU4N52K3 功能描述:MOSFET N-CH 525V 2.5A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):525V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2.6 歐姆 @ 1.25A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):11nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):334pF @ 100V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STU3N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):9.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):130pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STU3N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 2.7A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):620V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2.7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2.5 歐姆 @ 1.4A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):13nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):385pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STU6N60M2 STU6N62K3 STU6N65K3 STU6N65M2 STU6N90K5 STU6N95K5 STU6NF10 STU70N2LH5 STU75N3LLH6 STU75N3LLH6-S STU7LN80K5 STU7N105K5 STU7N60M2 STU7N65M2 STU7N80K5 STU7NF25 STU7NM60N STU80N4F6
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