STQN1553-2

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制造商
Pulse Electronics Corporation
功能描述
PULSE TX 1.4CT

STQN1553-2 技術(shù)參數(shù)

STQ3NK50ZR-AP 功能描述:MOSFET N-CH 500V 500MA TO-92 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:500mA（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.3 歐姆 @ 1.15A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:280pF @ 25V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 STQ3N45K3-AP 功能描述:MOSFET N-CH 450V 600MA TO-92 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:450V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:600mA（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.8 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:150pF @ 25V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STQ2NK60ZR-AP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:400mA（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 700mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:170pF @ 25V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 STQ2LN60K3-AP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.6A TO-92 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:600mA（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.5 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:235pF @ 50V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STQ2HNK60ZR-AP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:500mA（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.8 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:280pF @ 25V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STR05S1V5 STR05S1V8 STR05S2V5 STR05S3V3 STR05S3V3-TR STR05S6V5 STR-15 STR1550 STR1P2UH7 STR2550 STR2N2VH5 STR2P3LLH6 STR2W152D STR2W153D STR-35 STR3A151 STR3A151D STR3A152