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STP80NF03L04

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  • STP80NF03L04
    STP80NF03L04

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    現(xiàn)貨
  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 19410

  • STM

  • TO220

  • 1723+

  • -
  • ★★原盒原裝原標簽,現(xiàn)貨庫存商★★

  • STP80NF03L04
    STP80NF03L04

    STP80NF03L04

    現(xiàn)貨
  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:譚玉麗

    電話:19129491949(手機優(yōu)先微信同號)0755-83267816

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

  • 19410

  • STM

  • TO220

  • 1723+

  • -
  • ★★原盒原裝原標簽,現(xiàn)貨庫存商★★

  • STP80NF03L04
    STP80NF03L04

    STP80NF03L04

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:吳經(jīng)理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • STM

  • DIP

  • 2021+

  • -
  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應★...

  • STP80NF03L04
    STP80NF03L04

    STP80NF03L04

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • STM

  • DIP

  • 最新批號

  • -
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  • 1/1頁 40條/頁 共23條 
  • 1
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STP80NF03L04 技術參數(shù)
  • STP80NF03L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.5 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):110nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5500pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:1,000 STP80NE06-10 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):140nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):10000pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP80N70F6 功能描述:MOSFET N CH 68V 96A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):68V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):96A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8 毫歐 @ 48A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):99nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5850pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP80N6F6 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):110A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.8 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):122nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7480pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP80N20M5 功能描述:MOSFET N-CH 200V 61A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):61A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):23 毫歐 @ 30.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):104nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4329pF @ 50V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP80NF55-08AG STP80NF55L-06 STP80NF70 STP80PF55 STP85N3LH5 STP85NF55 STP85NF55L STP8N65M5 STP8N80K5 STP8N90K5 STP8NK100Z STP8NK80Z STP8NK80ZFP STP8NK85Z STP8NM50 STP8NM50FP STP8NM50N STP8NM60
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