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STP6X1MYL

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  • STP6X1MYL
    STP6X1MYL

    STP6X1MYL

  • 深圳市金嘉旭貿(mào)易有限公司
    深圳市金嘉旭貿(mào)易有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:0755-832599640755-23884416

    地址:中航北苑A座7A5

  • 636

  • PANDUIT

  • N/A

  • 18+

  • -
  • 進(jìn)口原裝特價(jià)出售

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  • 1
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  • 制造商
  • Panduit Corp
  • 功能描述
  • Cable Assembly STP 1m 26AWG Modular Plug to Modular Plug PL-PL
  • 制造商
  • Panduit Corp
  • 功能描述
  • CA STP 1M 26AWG MOD PLG TO MOD PLG PLG-PLG - Bulk
STP6X1MYL 技術(shù)參數(shù)
  • STP6NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4.6A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):4.6A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):920 毫歐 @ 2.3A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):13nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):420pF @ 50V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STP6NK90ZFP 功能描述:MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):5.8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2 歐姆 @ 2.9A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):60.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1350pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP6NK90Z 功能描述:MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):5.8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2 歐姆 @ 2.9A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):60.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1350pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP6NK60ZFP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):6A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.2 歐姆 @ 3A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):46nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):905pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP6NK60Z 功能描述:MOSFET N-CH 600V 6A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):6A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.2 歐姆 @ 3A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):46nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):905pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP6X2.5MOR STP6X2.5MRD STP6X2.5MVL STP6X2.5MYL STP6X200BL STP6X200BU STP6X200GR STP6X200IG STP6X200OR STP6X200RD STP6X200VL STP6X200YL STP6X20BL STP6X20BL-Q STP6X20BU STP6X20BU-Q STP6X20GR STP6X20GR-Q
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