您好,歡迎來到買賣IC網 登錄 | 免費注冊
您現在的位置:買賣IC網 > S字母型號搜索 > S字母第6113頁 >

STP28X1MBL-Q

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作

沒找到與 " STP28X1MBL-Q " 相關的供應商

您可以:

1. 縮短或修改您的搜索詞,重新搜索

2. 發(fā)布緊急采購,3分鐘左右您將得到回復 發(fā)布緊急采購

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
STP28X1MBL-Q PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
STP28X1MBL-Q 技術參數
  • STP28NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 23A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):23A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 11.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):62.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2090pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP28NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 21A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):21A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):158 毫歐 @ 10.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):50nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1735pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP28N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 20A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):180 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):35nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1440pF @ 100V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP28N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 24A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):24A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 12A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):37nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1370pF @ 100V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP28N60DM2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):21A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):160 毫歐 @ 10.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):34nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1500pF @ 100V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP28X1MRD-Q STP28X1MVL STP28X1MVL-Q STP28X1MYL STP28X1MYL-Q STP28X2.5MBL STP28X2.5MBL-Q STP28X2.5MBU STP28X2.5MBU-Q STP28X2.5MGR STP28X2.5MGR-Q STP28X2.5MIG STP28X2.5MIG-Q STP28X2.5MOR STP28X2.5MOR-Q STP28X2.5MRD STP28X2.5MRD-Q STP28X2.5MVL
配單專家

在采購STP28X1MBL-Q進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規(guī)避購買STP28X1MBL-Q產品風險,建議您在購買STP28X1MBL-Q相關產品前務必確認供應商資質及產品質量。

免責聲明:以上所展示的STP28X1MBL-Q信息由會員自行提供,STP28X1MBL-Q內容的真實性、準確性和合法性由發(fā)布會員負責。買賣IC網不承擔任何責任。

買賣IC網 (hkdtupc.cn) 版權所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術有限公司 | 粵公網安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號