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STI11NM80

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • STI11NM80
    STI11NM80

    STI11NM80

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • ST

  • TO-262

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

  • STI11NM80
    STI11NM80

    STI11NM80

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：何芝

    電話：19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 3526

  • ST

  • I2PAK（TO-262）

  • 14+

  • -

  • 原裝正品，現(xiàn)貨庫存，400-800-03...

  • STI11NM80
    STI11NM80

    STI11NM80

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場D座16層18B

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 569888

  • ST意法

  • N/A

  • 22+

  • -

  • 原裝正品現(xiàn)貨，支持BOM配單！

  • 1/1頁 40條/頁 共15條 
  • 1
STI11NM80 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-Ch 800V 0.35 Ohm 11 A MDmesh
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
STI11NM80 技術(shù)參數(shù)
  • STI10NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:540pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STI10N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:620V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8.4A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:750 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:42nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1250pF @ 50V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STHVDAC-256MTGF3 功能描述:DAC 7 bit Serial 20-Flip-Chip 制造商:stmicroelectronics 系列:* 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:DAC 分辨率（位）:7 b 采樣率（每秒）:- 數(shù)據(jù)接口:串行 電壓源:模擬和數(shù)字 電壓 - 電源:1.65 V ~ 1.95 V， 2.3 V ~ 5 V 工作溫度:-30°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:20-UFBGA，F(xiàn)CBGA 供應(yīng)商器件封裝:20-倒裝芯片 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STHVDAC-253MTGF3 功能描述:DAC 7 bit SPI 16-Flipchip (1.7x1.7) 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:DAC 分辨率（位）:7 b 采樣率（每秒）:- 數(shù)據(jù)接口:SPI 電壓源:模擬和數(shù)字 電壓 - 電源:2.3 V ~ 5 V 工作溫度:-30°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-UFBGA，F(xiàn)CBGA 供應(yīng)商器件封裝:16-覆晶（1.7x1.7） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STHV800L 功能描述:Ultrasound Pulser IC Ultrasound Imaging 56-TFLGA (8x8) 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 類型:超聲脈沖發(fā)生器 應(yīng)用:超聲波成像 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:56-VFLGA 供應(yīng)商器件封裝:56-TFLGA（8x8） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:260 STI12NM50N STI13005-1 STI13NM60N STI14NM50N STI14NM65N STI150N10F7 STI15NM60N STI15NM60ND STI16N65M5 STI16NM50N STI175N4F6AG STI17NF25 STI18N60M2 STI18N65M2 STI18N65M5 STI18NM60N STI19NM65N STI200N6F3
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