STGB3HF60HD

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型號(hào)
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封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

STGB3HF60HD
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889159
地址：江蘇省無(wú)錫市新區(qū)新梅路68號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
isc,iscsemi
D2PAK/TO-263
2024+
-
國(guó)產(chǎn)品牌，可替代原裝

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條
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STGB3HF60HD 技術(shù)參數(shù)

STGB35N35LZT4 功能描述:IGBT 345V 40A 176W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:345V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.7V @ 4.5V，15A 功率 - 最大值:176W 開(kāi)關(guān)能量:- 輸入類型:邏輯柵極電荷:49nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:1.1μs/26.5μs 測(cè)試條件:300V，15A，5V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB35N35LZ-1 功能描述:IGBT 345V 40A 176W I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件零件狀態(tài):過(guò)期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:345V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.7V @ 4.5V，15A 功率 - 最大值:176W 開(kāi)關(guān)能量:- 輸入類型:邏輯柵極電荷:49nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:1.1μs/26.5μs 測(cè)試條件:300V，15A，5V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STGB30V60F 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, V S 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:60A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.3V @ 15V，30A 功率 - 最大值:260W 開(kāi)關(guān)能量:383μJ（開(kāi)），233μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:163nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:45ns/189ns 測(cè)試條件:400V，30A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB30V60DF 功能描述:IGBT 600V 60A 258W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:60A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.3V @ 15V，30A 功率 - 最大值:258W 開(kāi)關(guān)能量:383μJ（開(kāi)），233μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:163nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:45ns/189ns 測(cè)試條件:400V，30A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:53ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB30NC60WT4 功能描述:IGBT 600V 60A 200W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:60A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，20A 功率 - 最大值:200W 開(kāi)關(guān)能量:305μJ（開(kāi)），181μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:102nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:29.5ns/118ns 測(cè)試條件:390V，20A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB6NC60HD-1 STGB6NC60HDT4 STGB6NC60HT4 STGB7H60DF STGB7NB40LZT4 STGB7NB60HDT4 STGB7NB60KDT4 STGB7NC60HDT4 STGB7NC60HT4 STGB8NC60KDT4 STGB8NC60KT4 STGBL6NC60DIT4 STGBL6NC60DT4 STGD10HF60KD STGD10NC60HDT4 STGD10NC60HT4 STGD10NC60KDT4 STGD10NC60KT4