STFI15N95K5

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型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

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功能描述
N-CHANNEL 950 V, 0.41 OHM TYP.,
制造商
stmicroelectronics
系列
MDmesh? K5
包裝
管件
零件狀態(tài)
停產(chǎn)
FET 類型
N 溝道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
950V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
7.5A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 100μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
30nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
855pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
30W
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
500 毫歐 @ 5.5A，10V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
I2PAKFP（TO-281）
封裝/外殼
TO-262-3 整包，I2Pak
標(biāo)準(zhǔn)包裝
50

STFI15N95K5 技術(shù)參數(shù)

STFI15N65M5 功能描述:MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:340 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:22nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:816pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3 整包，I2Pak 供應(yīng)商器件封裝:I2PAKFP（TO-281）標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STFI15N60M2-EP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:378 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:590pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3 整包，I2Pak 供應(yīng)商器件封裝:I2PAKFP（TO-281）標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STFI13NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:360 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:790pF @ 50V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3 整包，I2Pak 供應(yīng)商器件封裝:I2PAKFP（TO-281）標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STFI13NK60Z 功能描述:MOSFET N-CH 600V 13A I2PAK FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:13A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:92nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2030pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3 整包，I2Pak 供應(yīng)商器件封裝:I2PAKFP（TO-281）標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STFI13N95K3 功能描述:MOSFET N CH 950V 10A I2PAKFP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:950V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:850 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:51nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1620pF @ 100V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3 整包，I2Pak 供應(yīng)商器件封裝:I2PAKFP（TO-281）標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STFI28N60M2 STFI31N65M5 STFI34N65M5 STFI34NM60N STFI40N60M2 STFI4N62K3 STFI5N95K3 STFI6N62K3 STFI6N65K3 STFI6N80K5 STFI7LN80K5 STFI7N80K5 STFI8N80K5 STFI9N60M2 STFI9N80K5 STFILED524 STFILED625 STFILED627