STE180-75T2MI

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STE180-75T2MI
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
Vishay Sprague
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝

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功能描述
CAP TANT 180UF 75V 20% AXIAL
RoHS
否
類別
電容器 >> 鉭
系列
SuperTan® Extended STE
標準包裝
1,000
系列
TANTAMOUNT® 695D
電容
3.3µF
電壓 - 額定
50V
容差
±20%
ESR（等效串聯(lián)電阻）
3.2 歐姆
類型
保形涂層
工作溫度
-55°C ~ 125°C
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
2414（6034 公制）
尺寸/尺寸
0.236" L x 0.135" W（6.00mm x 3.43mm）
高度 - 座高（最大）
0.085"（2.16mm）
引線間隔
-
制造商尺寸代碼
F
特點
通用
包裝
帶卷 (TR)
壽命@溫度
-

STE180-75T2MI 技術參數(shù)

STE180-75T2KI 功能描述:180μF Hermetically Sealed Tantalum Capacitors 75V Axial 1.5 Ohm 0.312" Dia x 0.641" L (7.92mm x 16.28mm) 制造商:vishay sprague 系列:SuperTan? Extended STE 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電容:180μF 容差:±10% 電壓 - 額定:75V ESR（等效串聯(lián)電阻）:1.5 歐姆類型:密封工作溫度:-55°C ~ 125°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:軸向大小/尺寸:0.312" 直徑 x 0.641" 長（7.92mm x 16.28mm）高度 - 安裝（最大值）:- 引線間距:- 制造商尺寸代碼:T2 特性:液態(tài)鉭不同溫度時的使用壽命:- 標準包裝:1 STE145N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 143A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:143A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 69A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:414nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:18500pF @ 100V 功率 - 最大值:679W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:10 STE-1428116RF96 功能描述:UNIVERSAL TRANSMITTER W/LITHIUM 制造商:steute wireless 系列:- 零件狀態(tài):在售功能:發(fā)射器調(diào)制或協(xié)議:sWave? 頻率:915MHz 應用:通用接口:- 靈敏度:- 功率 - 輸出:- 數(shù)據(jù)速率（最大值）:66kbps 特性:- 電壓 - 電源:- 標準包裝:1 STE140NF20D 功能描述:MOSFET N-CH 200V 140A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:140A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 70A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:338nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11100pF @ 25V 功率 - 最大值:500W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:10 STE139N65M5 功能描述:N-CHANNEL 650 V, 0.014 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:130A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 65A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:363nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:15600pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:ISOTOP 標準包裝:100 STE3300-16T3MI STE400-100T4MI STE40NC60 STE40NK90ZD STE45NK80ZD STE4700-10T3KI STE470-75T3KI STE48NM50 STE48NM60 STE50DE100 STE53NC50 STE560-60T3KI STE6000-16T4KI STE6000-16T4MI STE70NM50 STE70NM60 STE750-75T4KI STE750-75T4MI