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STD80N02-011

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  • STD80N02-011G
    STD80N02-011G

    STD80N02-011G

  • 深圳市佳鑫特電子有限公司
    深圳市佳鑫特電子有限公司

    聯(lián)系人：陳

    電話：134105056520755-83512964

    地址：深圳市福田區(qū)佳和大廈B座2311

  • 8800

  • ON

  • TO-251

  • 11+

  • -

  • 原廠原包裝現(xiàn)貨

  • STD80N02-011G
    STD80N02-011G

    STD80N02-011G

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 20000

  • ON

  • 原廠標準封裝

  • 14+

  • -

  • 全新原裝，進口現(xiàn)貨，準時交貨，量大優(yōu)惠

  • STD80N02-011G
    STD80N02-011G

    STD80N02-011G

  • 深圳市科思奇電子科技有限公司
    深圳市科思奇電子科技有限公司

    聯(lián)系人：林小姐/歐陽先生

    電話：0755-832450508278593918923762408微信同號

    地址：深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)501棟1109-1110室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • ON

  • SMD

  • 23+

  • -

  • 只做原裝正品

  • STD80N02-011G
    STD80N02-011G

    STD80N02-011G

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • ON

  • SMD

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

  • STD80N02-011G
    STD80N02-011G

    STD80N02-011G

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：廖R

    電話：13163738578

    地址：龍崗區(qū)坂田五和大道山海大廈c 棟707

  • 9000

  • ON

  • SMD

  • 19+

  • -

  • 只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風險

  • 1/1頁 40條/頁 共20條 
  • 1
STD80N02-011 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 功能描述
STD80N02-011 技術參數(shù)
  • STD7NS20T4 功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:540pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD7NM80-1 功能描述:MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.05 歐姆 @ 3.25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:620pF @ 25V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:75 STD7NM80 功能描述:MOSFET N-CH 800V 6.5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.05 歐姆 @ 3.25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:620pF @ 25V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD7NM64N 功能描述:MOSFET N-CH 640V 5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:640V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.05 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:363pF @ 50V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 STD7NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:900 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:363pF @ 50V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD85N3LH5 STD86N3LH5 STD878T4 STD888T4 STD8N60DM2 STD8N65M5 STD8N80K5 STD8NF25 STD8NM50N STD8NM60N STD8NM60N-1 STD8NM60ND STD901T STD90N02L STD90N02L-1 STD90N03L STD90N03L-1 STD90N4F3
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