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SIE876DF-T1-GE3

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • SIE876DF-T1-GE3
    SIE876DF-T1-GE3

    SIE876DF-T1-GE3

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人:岳先生 田小姐

    電話:0755-8278116013760181591

    地址:深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Vishay Siliconix

  • MOSFET N-CH 60V 60A

  • 22+

  • -
  • SIE876DF-T1-GE3
    SIE876DF-T1-GE3

    SIE876DF-T1-GE3

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 原裝正品進口現(xiàn)貨 電話010-62104...

  • SIE876DF-T1-GE3
    SIE876DF-T1-GE3

    SIE876DF-T1-GE3

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 115

  • VISHAY SI

  • 剪切帶(CT

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共9條 
  • 1
SIE876DF-T1-GE3 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET 60V 110A 125W 6.1mohm @ 10V
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
SIE876DF-T1-GE3 技術(shù)參數(shù)
  • SIDEGIG-GUITAREVM 功能描述:EVALUATION MODULE 制造商:texas instruments 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 SID1183K-TL 功能描述:IGBT FET GATE DVR 8A 1700V ESOP 制造商:power integrations 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 SID1183K 功能描述:DGTL ISOLATION 8A 1700V ESOP 制造商:power integrations 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:48 SID1182K-TL 功能描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B 制造商:power integrations 系列:SCALE--iDriver? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 技術(shù):磁耦合 通道數(shù):1 電壓 - 隔離:5000Vrms 共模瞬態(tài)抗擾度(最小值):- 傳播延遲 tpLH / tpHL(最大值):340ns,330ns 脈寬失真(最大):- 上升/下降時間(典型值):90ns,81ns 電流 - 輸出高,低:3.6A,4A 電流 - 峰值輸出:8A 電壓 - 正向(Vf)(典型值):- 電壓 - 電源:4.75 V ~ 5.25 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-PowerSOIC(0.350",8.89mm 寬),15 引線 供應(yīng)商器件封裝:eSOP-R16B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 SID1182K 功能描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B 制造商:power integrations 系列:SCALE--iDriver? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 技術(shù):磁耦合 通道數(shù):1 電壓 - 隔離:5000Vrms 共模瞬態(tài)抗擾度(最小值):- 傳播延遲 tpLH / tpHL(最大值):340ns,330ns 脈寬失真(最大):- 上升/下降時間(典型值):90ns,81ns 電流 - 輸出高,低:3.6A,4A 電流 - 峰值輸出:8A 電壓 - 正向(Vf)(典型值):- 電壓 - 電源:4.75 V ~ 5.25 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-PowerSOIC(0.350",8.89mm 寬),15 引線 供應(yīng)商器件封裝:eSOP-R16B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:48 SI-EPF006480EU SI-EPF006640WW SI-EPF006650WW SI-EPF006660WW SI-EPF007040WW SIF902EDZ-T1-E3 SIF912EDZ-T1-E3 SIFS-1 SIGFOX/LORA ANTENNA KIT SIGN17X22E SIGN17X22S SIHA11N80E-GE3 SIHA12N50E-E3 SIHA12N60E-E3 SIHA14N60E-E3 SIHA15N50E-E3 SIHA15N60E-E3 SIHA15N65E-GE3
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