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SI9936DY,518

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  • SI9936DY,518
    SI9936DY,518

    SI9936DY,518

  • 深圳市科宏特電子有限公司
    深圳市科宏特電子有限公司

    聯(lián)系人：李瑞兵

    電話：18897698645

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強電子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • NXP

  • 22+

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  • 原裝正品

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  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET TRENCH<=30
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
SI9936DY,518 技術(shù)參數(shù)
  • SI9913DY-T1-E3 功能描述:功率驅(qū)動器IC Dual MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube SI9912DY-T1-E3 功能描述:功率驅(qū)動器IC Dual MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube SI9912DY-E3 功能描述:功率驅(qū)動器IC H-Bridge MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube SI9910DY-T1-E3 功能描述:功率驅(qū)動器IC MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube SI9910DY-E3 功能描述:功率驅(qū)動器IC DRVR 1A Sngl. Non-Inv Hi Side RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube SI9979DS-E3 SI9986CY-E3 SI9986CY-T1-E3 SI9986DY-E3 SI9986DY-T1-E3 SI9987CY-E3 SI9987CY-T1-E3 SI9987DY-E3 SI9987DY-T1-E3 SI9988DQ-T1-E3 SIA400EDJ-T1-GE3 SIA406DJ-T1-GE3 SIA408DJ-T1-GE3 SIA411DJ-T1-E3 SIA411DJ-T1-GE3 SIA413ADJ-T1-GE3 SIA413DJ-T1-GE3 SIA414DJ-T1-GE3
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