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SI8235BB-D-IM1

配單專家企業(yè)名單
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  • 封裝
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SI8235BB-D-IM1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • DUAL ISOLATED GATE DRIVER
  • 制造商
  • silicon labs
  • 系列
  • 汽車級,AEC-Q100
  • 包裝
  • 管件
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 技術(shù)
  • 容性耦合
  • 通道數(shù)
  • 2
  • 電壓 - 隔離
  • 2500Vrms
  • 共模瞬態(tài)抗擾度(最小值)
  • 45kV/μs
  • 傳播延遲 tpLH / tpHL(最大值)
  • 60ns,60ns
  • 脈寬失真(最大)
  • 5.6ns
  • 上升/下降時間(典型值)
  • 12ns,12ns
  • 電流 - 輸出高,低
  • 2A,4A
  • 電流 - 峰值輸出
  • 4A
  • 電壓 - 正向(Vf)(典型值)
  • -
  • 電壓 - 電源
  • 6.5 V ~ 24 V
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 125°C
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 14-VQFN
  • 認可
  • CQC,CSA,UR,VDE
  • 標準包裝
  • 60
SI8235BB-D-IM1 技術(shù)參數(shù)
  • SI8235BB-C-IS1 功能描述:4A Gate Driver Capacitive Coupling 2500Vrms 2 Channel 16-SOIC 制造商:silicon labs 系列:汽車級,AEC-Q100 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 技術(shù):容性耦合 通道數(shù):2 電壓 - 隔離:2500Vrms 共模瞬態(tài)抗擾度(最小值):20kV/μs 傳播延遲 tpLH / tpHL(最大值):60ns,60ns 脈寬失真(最大):5.6ns 上升/下降時間(典型值):12ns,12ns(最大) 電流 - 輸出高,低:2A,4A 電流 - 峰值輸出:4A 電壓 - 正向(Vf)(典型值):- 電流 - DC 正向(If):- 電壓 - 電源:9.4 V ~ 24 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:16-SOIC 認可:CQC,CSA,UR,VDE 標準包裝:48 SI8235BB-C-IS 功能描述:4A Gate Driver Capacitive Coupling 2500Vrms 2 Channel 16-SOIC 制造商:silicon labs 系列:汽車級,AEC-Q100 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 技術(shù):容性耦合 通道數(shù):2 電壓 - 隔離:2500Vrms 共模瞬態(tài)抗擾度(最小值):20kV/μs 傳播延遲 tpLH / tpHL(最大值):60ns,60ns 脈寬失真(最大):5.6ns 上升/下降時間(典型值):12ns,12ns(最大) 電流 - 輸出高,低:2A,4A 電流 - 峰值輸出:4A 電壓 - 正向(Vf)(典型值):- 電流 - DC 正向(If):- 電壓 - 電源:9.4 V ~ 24 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-SOIC(0.295",7.50mm 寬) 供應商器件封裝:16-SOIC 認可:CQC,CSA,UR,VDE 標準包裝:46 SI8235AD-D-IS3 功能描述:DUAL ISOLATED GATE DRIVER, 8 MM 制造商:silicon labs 系列:汽車級,AEC-Q100 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 技術(shù):容性耦合 通道數(shù):2 電壓 - 隔離:5000Vrms 共模瞬態(tài)抗擾度(最小值):45kV/μs 傳播延遲 tpLH / tpHL(最大值):60ns,60ns 脈寬失真(最大):5.6ns 上升/下降時間(典型值):12ns,12ns 電流 - 輸出高,低:2A,4A 電流 - 峰值輸出:4A 電壓 - 正向(Vf)(典型值):- 電壓 - 電源:6.5 V ~ 24 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:14-SOIC(0.295",7.50mm 寬) 供應商器件封裝:14-SOIC 認可:CQC,CSA,UR,VDE 標準包裝:46 SI8235AB-D-IM1 功能描述:DUAL ISOLATED GATE DRIVER 制造商:silicon labs 系列:汽車級,AEC-Q100 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 技術(shù):容性耦合 通道數(shù):2 電壓 - 隔離:2500Vrms 共模瞬態(tài)抗擾度(最小值):45kV/μs 傳播延遲 tpLH / tpHL(最大值):60ns,60ns 脈寬失真(最大):5.6ns 上升/下降時間(典型值):12ns,12ns 電流 - 輸出高,低:2A,4A 電流 - 峰值輸出:4A 電壓 - 正向(Vf)(典型值):- 電壓 - 電源:6.5 V ~ 24 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:14-VQFN 認可:CQC,CSA,UR,VDE 標準包裝:60 SI8234BD-C-IS 功能描述:4A Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 2 Channel 16-SOIC 制造商:silicon labs 系列:汽車級,AEC-Q100 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 技術(shù):容性耦合 通道數(shù):2 電壓 - 隔離:5000Vrms 共模瞬態(tài)抗擾度(最小值):20kV/μs 傳播延遲 tpLH / tpHL(最大值):60ns,60ns 脈寬失真(最大):5.6ns 上升/下降時間(典型值):12ns,12ns(最大) 電流 - 輸出高,低:2A,4A 電流 - 峰值輸出:4A 電壓 - 正向(Vf)(典型值):- 電流 - DC 正向(If):- 電壓 - 電源:9.4 V ~ 24 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-SOIC(0.295",7.50mm 寬) 供應商器件封裝:16-SOIC 認可:CQC,CSA,UR,VDE 標準包裝:46 SI8235BD-D-IS3 SI8235BD-D-IS3R SI8235BD-D-ISR SI8235-B-IS SI8236AA-C-IM SI8236AA-C-IMR SI8236AA-D-IM SI8236AA-D-IMR SI8236BA-C-IM SI8236BA-C-IMR SI8236BA-D-IM SI8236BA-D-IMR SI8236BB-D-IM SI8236BB-D-IMR SI8237AB-B-IS1 SI8237AB-B-IS1R SI8237AB-D-IS1 SI8237AB-D-IS1R
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