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S34MS01G204TFI013

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    S34MS01G204TFI013

    S34MS01G204TFI013

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人:廖先生

    電話:13612973190

    地址:廣東省深圳市華強(qiáng)北上航大廈西座410室

  • 9000

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  • S34MS01G204TFI013
    S34MS01G204TFI013

    S34MS01G204TFI013

  • 萬三科技(深圳)有限公司
    萬三科技(深圳)有限公司

    聯(lián)系人:王小康

    電話:181886423070755-21006672

    地址:深圳市龍華區(qū)民治街道新牛社區(qū)金地梅隴鎮(zhèn)9棟4單元14C

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  • 原廠原裝

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  • 萬三科技 秉承原裝 實(shí)單可議

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S34MS01G204TFI013 技術(shù)參數(shù)
  • S34MS01G204BHI010 功能描述:IC FLASH 1GBIT 45NS 63BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:MS-2 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類型:非易失 存儲(chǔ)器格式:閃存 技術(shù):FLASH - NAND 存儲(chǔ)容量:1Gb (64M x 16) 寫周期時(shí)間 - 字,頁:45ns 訪問時(shí)間:45ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:63-VFBGA 供應(yīng)商器件封裝:63-BGA(11x9) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:210 S34MS01G200TFV000 功能描述:IC FLASH 1GBIT 45NS 48TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:MS-2 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類型:非易失 存儲(chǔ)器格式:閃存 技術(shù):FLASH - NAND 存儲(chǔ)容量:1Gb (128M x 8) 寫周期時(shí)間 - 字,頁:45ns 訪問時(shí)間:45ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:48-TSOP I 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 S34MS01G200TFI900 功能描述:IC FLASH 1GBIT 45NS 48TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:MS-2 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類型:非易失 存儲(chǔ)器格式:閃存 技術(shù):FLASH - NAND 存儲(chǔ)容量:1Gb (128M x 8) 寫周期時(shí)間 - 字,頁:45ns 訪問時(shí)間:45ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:48-TSOP I 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 S34MS01G200TFI000 功能描述:IC FLASH 1GBIT 45NS 48TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:MS-2 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類型:非易失 存儲(chǔ)器格式:閃存 技術(shù):FLASH - NAND 存儲(chǔ)容量:1Gb (128M x 8) 寫周期時(shí)間 - 字,頁:45ns 訪問時(shí)間:45ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:48-TSOP I 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 S34MS01G200GHI000 功能描述:IC FLASH 1GBIT 45NS 67BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:MS-2 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類型:非易失 存儲(chǔ)器格式:閃存 技術(shù):FLASH - NAND 存儲(chǔ)容量:1Gb (128M x 8) 寫周期時(shí)間 - 字,頁:45ns 訪問時(shí)間:45ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:67-VFBGA 供應(yīng)商器件封裝:67-BGA(8x6.5) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:260 S34MS02G104BHI010 S34MS02G104BHV010 S34MS02G104BHV013 S34MS02G200BHI000 S34MS02G200BHI003 S34MS02G200BHV000 S34MS02G200BHV003 S34MS02G200GHI000 S34MS02G200GHV000 S34MS02G200GHV003 S34MS02G200TFI000 S34MS02G200TFI003 S34MS02G200TFV000 S34MS02G200TFV003 S34MS02G204BHI010 S34MS02G204BHI013 S34MS02G204TFI010 S34MS04G100BHB000
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