參數(shù)資料
型號： RFP30N06LE
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs
中文描述： 30 A, 60 V, 0.047 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 80K
代理商： RFP30N06LE
6-264
FIGURE 12. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
NOTE: Refer to Intersil Application Notes AN7254 and AN7260.
FIGURE 13. NORMALIZED SWITCHING WAVEFORMS FOR
CONSTANT GATE CURRENT
Test Circuits and Waveforms
FIGURE 14. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
FIGURE 15. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
FIGURE 16. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
FIGURE 17. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
2000
1500
500
0
0
5
10
15
20
25
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
RSS
1000
C
OSS
C
ISS
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
60
45
30
15
0
5.0
3.75
2.5
1.25
0
D
,
G
,
V
DD
= BV
DSS
V
DD
= BV
DSS
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.25 BV
DSS
R
L
= 2.0
I
G(REF)
= 0.62mA
V
GS
= 5V
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.25 BV
DSS
I
G(REF)
I
G(ACT)
t, TIME (s)
20
I
G(REF)
I
G(ACT)
80
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
DUT
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
V
GS
0V
R
GS
R
L
DUT
+
-
V
GS
V
DS
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
RFP30N06LE, RF1S30N06LESM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RF1S30N06LESM 30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs
RF1S30N06LE 30A, 60V, ESD Rated, Avalanche Rated, Logic Level N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs
RF1S30N06LESM 30A, 60V, ESD Rated, Avalanche Rated, Logic Level N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs
RF1S30P05SM 30A, 50V, 0.065 Ohm,N-Channel PowerMOSFET(30A, 50V, 0.065 Ω,N溝道增強型功率MOS場效應(yīng)管)
RFP30P05 30A, 50V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
RFP30N06LE 制造商:Intersil Corporation 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220
RFP30N06LE_NL 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
RFP30N06LE_Q 功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RFP-30N50T-S 制造商:ANAREN 制造商全稱:Anaren Microwave 功能描述:Aluminum Nitride Termination 30 Watts, 50W
RFP30N6LER4541 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述:
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