- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374584 > RF1S60P03SM (HARRIS SEMICONDUCTOR) 60A, 30V, 0.027 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(60A, 30V, 0.027 Ω,P溝道功率MOS場效應(yīng)管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | RF1S60P03SM |
| 廠商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 60A, 30V, 0.027 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(60A, 30V, 0.027 Ω,P溝道功率MOS場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 60 A, 30 V, 0.027 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 文件頁數(shù)： | 6/7頁 |
| 文件大小： | 88K |
| 代理商： | RF1S60P03SM |
4-145
FIGURE 18. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 19. GATE CHARGE WAVEFORMS
Test Circuits and Waveforms
(Continued)
R
L
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
G(REF)
V
DD
Q
g(TH)
V
GS
= -2V
Q
g(-10)
V
GS
= -10V
Q
g(TOT)
V
GS
= -20V
V
DS
-V
GS
I
G(REF)
0
0
RFG60P03, RFP60P03, RF1S60P03SM
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RFP60P03 | 60A, 30V, 0.027 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
| RFG60P03 | 60A, 30V, 0.027 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(60A, 30V, 0.027 Ω,P溝道功率MOS場效應(yīng)管) |
| RFP60P03 | 60A, 30V, Avalanche Rated, P-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs |
| RF1S630SM | 9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
| RF1S640SM | 18A, 200V, 0.180 Ohm,, N-Channel PowerMOSFET(18A, 200V, 0.180 Ohm,N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RF1S60P03SM9A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-263AB |
| RF1S630 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| RF1S630SM | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| RF1S630SM9A | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| RF1S640 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。