參數(shù)資料
型號(hào)： RF1K49221
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 2.5A, 60V, 0.130 Ohm, ESD Rated, Dual N-Channel LittleFET⑩ Power MOSFET
中文描述： 3.5 A, 30 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 109K
代理商： RF1K49221
8-138
Typical Performance Curves
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
AMBIENT TEMPERATURE
FIGURE 3. NORMALIZED MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
FIGURE 4. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
FIGURE 5. PEAK CURRENT CAPABILITY
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
1.5
0.5
0
25
50
75
100
125
150
1.0
2.0
I
D
,
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
3.0
2.5
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
10
-5
10
-1
10
0
10
2
0.001
10
0.1
1
10
-2
10
3
Z
θ
J
,
T
0.01
10
-4
10
-3
SINGLE PULSE
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JA
x R
θ
JA
+ T
A
P
DM
t
1
t
2
10
1
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
1
10
200
0.01
1
50
10
0.1
0.1
I
D
,
100
LIMITED BY r
DS(ON)
AREA MAY BE
OPERATION IN THIS
V
DSS(MAX)
= 60V
T
J
= MAX RATED
T
A
= 25
o
C
DC
5ms
10ms
100ms
1s
t, PULSE WIDTH (s)
100
10
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
I
D
,
T
A
= 25
o
C
V
GS
= 10V
V
GS
= 20V
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
I
=
I
25
150 - T
A
125
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
RF1K49221
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PDF描述
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RF1K4922396 功能描述:MOSFET USE 512-FDS9953A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RF1K4922396R4617 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
RF1K49224 制造商:Harris Corporation 功能描述:
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