參數(shù)資料
型號(hào)： RF1K4921196
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 7A I(D) | SO
中文描述： 7 A, 12 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
文件大?。?/td> 133K
代理商： RF1K4921196
8-131
Typical Performance Curves
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
AMBIENT TEMPERATURE
FIGURE 3. NORMALIZED MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
FIGURE 4. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
FIGURE 5. PEAK CURRENT CAPABILITY
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
4
2
0
25
50
75
100
125
150
6
I
D
,
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
8
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
0.01
0.1
1
10
10
-3
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-2
Z
θ
J
,
I
P
DM
t
1
t
2
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JA
x R
θ
JA
+ T
A
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
10
-4
10
-5
0.001
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
1
10
50
0.01
1
100
10
0.1
0.1
I
D
,
DC
5ms
10ms
100ms
1s
LIMITED BY r
DS(ON)
AREA MAY BE
OPERATION IN THIS
V
DSS(MAX)
= 12V
T
J
= MAX RATED
T
A
= 25
o
C
t, PULSE WIDTH (s)
300
10
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
V
GS
= 5V
100
I
D
,
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
I
=
I
25
150 - T
A
125
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
T
A
= 25
o
C
RF1K49211
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RF1K49221 2.5A, 60V, 0.130 Ohm, ESD Rated, Dual N-Channel LittleFET⑩ Power MOSFET
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RF1K49223 2.5A, 30V, 0.150 Ohm, Dual P-Channel LittleFET⑩ Power MOSFET
RF1K4922396 2.5A, 30V, 0.150 Ohm, Dual P-Channel LittleFET⑩ Power MOSFET
RF1K49224 3.5A/2.5A, 30V, 0.060/0.150 Ohms, Complementary LittleFET⑩ Power MOSFET
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參數(shù)描述
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RF1K4922196 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | SO
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RF1K4922396R4617 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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