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QB-78K0SKX1-ZZZ

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  • 制造商
  • Renesas Electronics Corporation
  • 功能描述
  • IECUBE 78K0SKX1 - Bulk
  • 制造商
  • Renesas Electronics Corporation
  • 功能描述
  • 78K0S KX1 IECUBE UNIT
QB-78K0SKX1-ZZZ 技術(shù)參數(shù)
  • QB3725A60WSTC 功能描述:THERMAL CONDUCTOR Q-BRIDGE 制造商:american technical ceramics 系列:Q-Bridge 零件狀態(tài):在售 類型:散熱片 冷卻封裝:- 接合方法:SMD 基座 形狀:矩形 寬度:0.245"(6.22mm) 直徑:- 離基底高度(鰭片高度):0.060"(1.52mm) 不同溫升時(shí)功率耗散:- 不同強(qiáng)制氣流時(shí)的熱阻:- 自然條件下熱阻:6°C/W 材料:氮化鋁陶瓷型 材料鍍層:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 QB2525A60WSTB 功能描述:THERMAL CONDUCTOR Q-BRIDGE 制造商:american technical ceramics 系列:Q-Bridge 零件狀態(tài):在售 類型:散熱片 冷卻封裝:- 接合方法:SMD 基座 形狀:矩形 長(zhǎng)度:0.240"(6.10mm) 寬度:0.250"(6.35mm) 直徑:- 離基底高度(鰭片高度):0.060"(1.52mm) 不同溫升時(shí)功率耗散:- 不同強(qiáng)制氣流時(shí)的熱阻:- 自然條件下熱阻:4°C/W 材料:氮化鋁陶瓷型 材料鍍層:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 QB2010A60WSTB 功能描述:THERMAL CONDUCTOR Q-BRIDGE 制造商:american technical ceramics 系列:Q-Bridge 零件狀態(tài):在售 類型:散熱片 冷卻封裝:- 接合方法:SMD 基座 形狀:矩形 長(zhǎng)度:0.195"(4.95mm) 寬度:0.095"(2.41mm) 直徑:- 離基底高度(鰭片高度):0.060"(1.52mm) 不同溫升時(shí)功率耗散:- 不同強(qiáng)制氣流時(shí)的熱阻:- 自然條件下熱阻:10°C/W 材料:氮化鋁陶瓷型 材料鍍層:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 QB1111A40WYTB 功能描述:THERMAL CONDUCTOR Q-BRIDGE 制造商:american technical ceramics 系列:Q-Bridge 零件狀態(tài):在售 類型:散熱片 冷卻封裝:- 接合方法:SMD 基座 形狀:矩形 長(zhǎng)度:0.110"(2.79mm) 寬度:0.110"(2.79mm) 直徑:- 離基底高度(鰭片高度):0.040"(1.02mm) 不同溫升時(shí)功率耗散:- 不同強(qiáng)制氣流時(shí)的熱阻:- 自然條件下熱阻:7°C/W 材料:氮化鋁陶瓷型 材料鍍層:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 QB1005A40WYTB 功能描述:THERMAL CONDUCTOR Q-BRIDGE 制造商:american technical ceramics 系列:Q-Bridge 零件狀態(tài):在售 類型:散熱片 冷卻封裝:- 接合方法:SMD 基座 形狀:矩形 長(zhǎng)度:0.100"(2.54mm) 寬度:0.050"(1.27mm) 直徑:- 離基底高度(鰭片高度):0.040"(1.02mm) 不同溫升時(shí)功率耗散:- 不同強(qiáng)制氣流時(shí)的熱阻:- 自然條件下熱阻:13°C/W 材料:氮化鋁陶瓷型 材料鍍層:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 QB-BASE175-Q QBC11ZH-NT QB-COMMON-PW-EA QB-CONN QBDE067A0B41-HZ QBDE067A0B641-HZ QBDE067A0B641-PHZ QBDS200AG QBDS200R QBDS400AG QBDS400R QBDS560AG QBDS560R QBDW025A0B41-HZ QBDW025A0B41Z QBDW025A0B641-HZ QBDW025A0B641-PHZ QBDW033A0B41-HZ
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