參數(shù)資料
型號(hào)： PVB42004X
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN microwave power transistor
中文描述： C BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： SOT-445A, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 64K
代理商： PVB42004X
1997 Feb 19
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
PVB42004X
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
CES
V
EBO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
T
sld
collector-base voltage
collector-emitter voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current
total power dissipation
storage temperature
operating junction temperature
soldering temperature
open emitter
open base
R
BE
= 0
open collector
65
40
15
40
3
1
18
+200
200
235
V
V
V
V
A
W
°
C
°
C
°
C
T
mb
= 75
°
C
at 0.1 mm from the case;
t
≤
10 s
Fig.2
Power derating curves as functions of
mounting base temperature.
V
CE
= 24 V; f > 1 MHz.
(1) VSWR
≥
5.
(2) VSWR < 3.
handbook, halfpage
(W)
50
200
0
(2)
(1)
5
10
15
20
0
50
100
150
MGD967
Tmb (
°
C)
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