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參數(shù)資料
| 型號： | PS2832-4 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | Darlington Transistor Photocoupler(達林頓輸出光耦/光隔離器) |
| 中文描述： | 達林頓晶體管光電耦合器（達林頓輸出光耦/光隔離器） |
| 文件頁數(shù)： | 4/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 110K |
| 代理商： | PS2832-4 |
Data Sheet P14023EJ2V0DS00
4
PS2832-1,-4,PS2833-1,-4
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Ratings
Parameter
Symbol
PS2832-1
PS2833-1
PS2832-4
PS2833-4
Unit
Diode
Forward Current (DC)
I
F
50
mA
Reverse Voltage
V
R
6
V
Power Dissipation Derating
P
D
/
°
C
0.6
0.8
mW/
°
C
Power Dissipation
P
D
60
80
mW/ch
Peak Forward Current
*1
I
FP
1
A
Transistor
Collector to Emitter Voltage
V
CEO
300
350
300
350
V
Emitter to Collector Voltage
V
ECO
0.3
V
Collector Current
I
C
60
mA/ch
Power Dissipation Derating
P
C
/
°
C
1.2
mW/
°
C
Power Dissipation
P
C
120
mW/ch
Isolation Voltage
*2
BV
2 500
Vr.m.s.
Operating Ambient Temperature
T
A
55 to +100
°
C
Storage Temperature
T
stg
55 to +150
°
C
*1
PW = 100
μ
s, Duty Cycle = 1 %
*2
AC voltage for 1 minute at T
A
= 25
°
C, RH = 60 % between input and output
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
°
C)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Diode
Forward Voltage
V
F
I
F
= 10 mA
1.2
1.4
V
Reverse Current
I
R
V
R
= 5 V
5
μ
A
Terminal Capacitance
C
t
V = 0 V, f = 1 MHz
30
pF
Transistor
Collector to Emitter Current
I
CEO
I
F
= 0 mA, V
CE
= 300 V
400
nA
Coupled
Current Transfer Ratio
(I
C
/I
F
)
CTR
I
F
= 1 mA, V
CE
= 2 V
400
2 000
4 500
%
Collector Saturation Voltage
V
CE (sat)
I
F
= 1 mA, I
C
= 2 mA
1.0
V
Isolation Resistance
R
I-O
V
I-O
= 1 kV
DC
10
11
Isolation Capacitance
C
I-O
V = 0 V, f = 1 MHz
0.4
pF
Rise Time
*1
t
r
V
CC
= 5 V, I
C
= 10 mA, R
L
= 100
20
μ
s
Fall Time
*1
t
f
5
*1
Test circuit for switching time
V
CC
V
OUT
R
L
= 100
I
F
50
Pulse Input
PW = 1 ms
Duty cycle = 1/10
In monitor
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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