產品信息

產品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: Transphorm
產品種類: GaN 場效應晶體管
RoHS: 詳細信息
商標: Transphorm
通道模式: Enhancement
下降時間: 7.2 ns
Id-連續(xù)漏極電流: 29 A
最大工作溫度: + 150 C
最小工作溫度: - 55 C
安裝風格: Through Hole
通道數(shù)量: 1 Channel
封裝 / 箱體: TO-220-3
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
Pd-功率耗散: 96 W
產品類型: GaN FETs
Qg-柵極電荷: 9 nC
Rds On-漏源導通電阻: 85 mOhms
上升時間: 6.2 ns
系列: Gen IV SuperGaN
50
子類別: Transistors
技術: GaN
商標名: SuperGaN
晶體管極性: N-Channel
典型關閉延遲時間: 56 ns
典型接通延遲時間: 43.4 ns
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.7 V



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公司介紹

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