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典型關(guān)斷延遲時(shí)間 | 148 ns | |
典型接通延遲時(shí)間 | 62 ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 180 nC @ 10 V | |
典型輸入電容值@Vds | 12800 pF @ 25 V | |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 10.4mm | |
封裝類(lèi)型 | H2PAK | |
尺寸 | 15.8 x 10.4 x 4.8mm | |
引腳數(shù)目 | 3 | |
最低工作溫度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 315 W | |
最大柵源電壓 | ±20 V | |
最大漏源電壓 | 100 V | |
最大漏源電阻值 | 2.3 mΩ | |
最大連續(xù)漏極電流 | 180 A | |
最高工作溫度 | +175 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 | |
類(lèi)別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強(qiáng) | |
通道類(lèi)型 | N | |
配置 | 單 | |
長(zhǎng)度 | 15.8mm | |
高度 | 4.8mm |
電話(huà):13969210552
聯(lián)系人:王偉越 (女士)
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