STP110N8F6 MOSFET

品牌：
MOSFET
型號：
STP110N8F6

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相關(guān)產(chǎn)品

產(chǎn)品信息

產(chǎn)品屬性	屬性值	選擇屬性
制造商:	STMicroelectronics
產(chǎn)品種類:	MOSFET
RoHS:
技術(shù):	Si
安裝風(fēng)格:	Through Hole
封裝 / 箱體:	TO-220-3
晶體管極性:	N-Channel
通道數(shù)量:	1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:	80 V
Id-連續(xù)漏極電流:	110 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:	6.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:	- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:	2.5 V
Qg-柵極電荷:	150 nC
最小工作溫度:	- 55 C
最大工作溫度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	200 W
通道模式:	Enhancement
商標(biāo)名:	STripFET
系列:	STP110N8F6
封裝:	Tube
商標(biāo):	STMicroelectronics
配置:	Single
下降時間:	48 ns
高度:	15.75 mm
長度:	10.4 mm
產(chǎn)品類型:	MOSFETs
上升時間:	61 ns
	1000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel Power MOSFET
典型關(guān)閉延遲時間:	162 ns
典型接通延遲時間:	24 ns
寬度:	4.6 mm
單位重量:	2 g

公司介紹

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