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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PM50150K |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Power MOS FET Module(N溝道功率MOSFET模塊) |
| 中文描述： | 硅N溝道功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管模塊（不適用溝道功率MOSFET的模塊） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 71K |
| 代理商： | PM50150K |
PM50150K
7
500
400
300
200
100
0
80
160
240
320
400
4
8
12
16
20
Gate Charge Qg (nc)
D
D
G
G
Dynamic Input Characteristics
V
DS
100 V
V = 300 V
200 V
100 V
V
GS
I = 75 A
Pulse Test
200 V
V = 300 V
0
1000
100
10
0.1
1
10
100
Drain Current I (A)
S
Switching Characteristics
t
t
t
t
V = 10 V
duty < 1%
GS
d (on)
f
r
d (off)
10000
200
160
120
80
40
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
Source to Drain Voltage V (V)
R
D
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Pulse Test
V = 0, –5 V
V = 10 V
1
0.1
0.01
0.001
100
μ
1 m
10 m
100 m
1
10
Pulse Width PW (s)
P
DM
PW
T
D =
T
PW
θ
ch – C (t) = (t) ch – C
ch – C = 0.25°C/W, T = 25°C
θ
γ
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
N
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PM50302F | Silicon N-Channel Power MOS FET Module(N溝道功率MOSFET模塊) |
| PM5050J | Silicon N-Channel Power MOS FET Module(N溝道功率MOSFET模塊) |
| PM5075J | Silicon N-Channel Power MOS FET Module(N溝道功率MOSFET模塊) |
| PMA0207 | Metal Film Resistors, Precision, High Stability |
| PMA | Precision Resistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PM501CE | 制造商:ARTESYN 制造商全稱:Artesyn Technologies 功能描述:Single, dual and triple output 1 to 10.5 Watt AC/DC encapsulated modules |
| PM501D | 制造商:ARTESYN 制造商全稱:Artesyn Technologies 功能描述:Single, dual and triple output 1 to 10.5 Watt AC/DC encapsulated modules |
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| PM501K | 制造商:ARTESYN 制造商全稱:Artesyn Technologies 功能描述:Single, dual and triple output 1 to 10.5 Watt AC/DC encapsulated modules |
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