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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | P4C1024L-100CJM |
| 廠商： | PYRAMID SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 128K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, CDSO32 |
| 封裝： | CERAMIC, SOJ-32 |
| 文件頁數(shù)： | 8/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 152K |
| 代理商： | P4C1024L-100CJM |
P4C1024
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Document # SRAM124 REV A
DATA RETENTION CHARACTERISTICS (P4C1024L, Military Temperature Only)
Typ.*
Max
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
V
CC=VCC=Unit
2.0V
3.0V
2.0V
3.0V
V
DR
V
CC for Data Retention
2.0
V
I
CCDR
Data Retention Current
50
200
400
600
A
t
CDR
Chip Deselect to
ns
Data Retention Time
t
R
Operation Recovery Time
t
RC
§
ns
*T
A = +25°C
§t
RC = Read Cycle Time
This parameter is guaranteed but not tested.
*V
CC = 5.5V.
Tested with outputs open. f = Max. Switching inputs are 0V and 3V. CE
1 = VIL, CE2 = VIH, OE = VIH
POWER DISSIPATION CHARACTERISTICS VS. SPEED
DATA RETENTION WAVEFORM
CE
1 ≥ VCC – 0.2V or
CE
2 ≤ 0.2V, VIN ≥ VCC – 0.2V
or V
IN ≤ 0.2V
Symbol
Parameter
Temperature
Range
-15
-20
-25
-35
-45
-55
-70
-85 -100 -120
Unit
Commercial
190 160 150 145 N/A
N/A
mA
Industrial
N/A
175 165 160 155 N/A
N/A
mA
Military
N/A
150 140 135 130 125 115 110 105 100
mA
Dynamic Operating Current*
ICC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P4C1024L-45C4MB | 128K X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, CDIP32 |
| P4C1024L-85C4M | 128K X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, CDIP32 |
| P4C1256L-70PILF | 32K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDIP28 |
| P4C1256-20PI | 32K X 8 STANDARD SRAM, 20 ns, PDIP28 |
| P4C1256-25JC | 32K X 8 STANDARD SRAM, 25 ns, PDSO28 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| P4C1024L55CWC | 制造商:PYRAMID 制造商全稱:Pyramid Semiconductor Corporation 功能描述:LOW POWER 128K x 8 CMOS STATIC RAM |
| P4C1024L55CWI | 制造商:PYRAMID 制造商全稱:Pyramid Semiconductor Corporation 功能描述:LOW POWER 128K x 8 CMOS STATIC RAM |
| P4C1024L55PC | 制造商:PYRAMID 制造商全稱:Pyramid Semiconductor Corporation 功能描述:LOW POWER 128K x 8 CMOS STATIC RAM |
| P4C1024L-55PC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SRAM |
| P4C1024L55PI | 制造商:PYRAMID 制造商全稱:Pyramid Semiconductor Corporation 功能描述:LOW POWER 128K x 8 CMOS STATIC RAM |
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