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PSMN130-200D,118
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3000
PHA
NULL
09/10+
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全新原裝100%正品保證質(zhì)量

PSMN130-200D,118
深圳市眾芯微電子有限公司
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聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
90000
NXP Semiconductors
DPAK
18+
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MOSFET N-CH 200V 20A...

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北京元坤偉業(yè)科技有限公司
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地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3000
PHA
標(biāo)準(zhǔn)封裝
09/10+
-
全新原裝100%正品保證質(zhì)量

PSMN130-200D,118
北京耐芯威科技有限公司
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聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

PSMN130-200D,118
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
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聯(lián)系人：劉先生
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地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3000
PHA
NULL
09/10+
-
全新原裝100%正品保證質(zhì)量

PSMN130-200D,118
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
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聯(lián)系人：吳經(jīng)理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30
69880
NEXPERIA/安世
SOT428
2021+
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★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

PSMN130-200D,118
深圳市海天鴻電子科技有限公司
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聯(lián)系人：彭小姐、劉先生、李小姐
電話：0755-82552857-80913528851884（周日專線）
地址：深圳市福田區(qū)中航路中航北苑大廈A座22A3號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
7500
NXP
原廠原裝
1708+
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只做原裝一手貨源，代理商分銷庫存

PSMN130-200D,118
深圳市華芯盛世科技有限公司
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聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
NXP
原廠封裝
最新批號
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代理此型號.原裝特價現(xiàn)貨！

PSMN130-200D,118 MOS(場效應(yīng)管)
深圳市華芯源電子有限公司
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聯(lián)系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
100000
NEXPERIA/安世
SOT428
-
授權(quán)代理/原廠FAE技術(shù)支持

PSMN130-200D,118
深圳市信通吉電子有限公司
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聯(lián)系人：馮
電話：17841084408
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道深南中路3006號佳和大廈B座20
38000
Nexpe原裝正品
SOT428
19+
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香港總公司18年專業(yè)電子元器件現(xiàn)貨供應(yīng)商

PSMN130-200D,118
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
聯(lián)系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907
2500
NEXPERIA
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100%原裝正品★終端免費供樣★

1/1頁 40條/頁共26條
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功能描述
MOSFET N-CH TRENCH 200V 20A
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

PSMN130-200D,118 技術(shù)參數(shù)

PSMN102-200Y,115 功能描述:MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:21.5A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:30.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1568pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:113W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:102 毫歐 @ 12A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN0R9-30YLDX 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A 56LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:109nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:7668pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:349W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:0.87 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SOT-1023，4-LFPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN0R9-25YLDX 功能描述:PSMN0R9-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:300A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:89.8nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:6721pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:238W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:0.85 毫歐 @ 25A， 10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN0R9-25YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:110nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:6775pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:272W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:0.99 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN0R7-25YLDX 功能描述:MOSFET N-CH 25V LFPAK56 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:300A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:110.2nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:8320pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:158W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:0.72 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SOT-1023，4-LFPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN1R1-40BS,118 PSMN1R2-25YL,115 PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLDX PSMN1R2-30YLC,115 PSMN1R2-30YLDX PSMN1R3-30YL,115 PSMN1R4-30YLDX PSMN1R4-40YLDX PSMN1R5-25YL,115 PSMN1R5-30BLEJ PSMN1R5-30YL,115 PSMN1R5-30YLC,115 PSMN1R5-40ES,127 PSMN1R5-40PS,127 PSMN1R6-30BL,118 PSMN1R6-30PL,127 PSMN1R6-40YLC,115