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PMV30UN2VL

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  • PMV30UN2VL
    PMV30UN2VL

    PMV30UN2VL

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:吳經(jīng)理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • SOT23

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  • -
  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

  • PMV30UN2VL
    PMV30UN2VL

    PMV30UN2VL

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13305449939

    地址:上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 367560

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • 現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價(jià)格

  • PMV30UN2VL
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    PMV30UN2VL

  • 深圳市信通吉電子有限公司
    深圳市信通吉電子有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:17841084408

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道深南中路3006號佳和大廈B座20

  • 38000

  • Nexpe原裝正品

  • SOT23

  • 19+

  • -
  • 香港總公司18年專業(yè)電子元器件現(xiàn)貨供應(yīng)商

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PMV30UN2VL 技術(shù)參數(shù)
  • PMV30UN2R 功能描述:MOSFET N-CH 20V SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):4.2A(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):11nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):655pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):490mW(Ta), 5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):32 毫歐 @ 4.2A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMV30UN,215 功能描述:MOSFET N-CH 20V 5.7A SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):5.7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):36 毫歐 @ 2A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):7.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):460pF @ 20V 功率 - 最大值:1.9W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMV28UNEAR 功能描述:MOSFET N-CH 20V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):4.7A(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):490pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):510mW(Ta), 3.9W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):32 毫歐 @ 4.7A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMV28UN,215 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3.3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):32 毫歐 @ 3.3A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 270μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):9nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):470pF @ 10V 功率 - 最大值:380mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMV27UPER 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):4.5A(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):22.1nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):1820pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):490mW(Ta), 4.15W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):32 毫歐 @ 4.5A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMV40UN2R PMV4248GY PMV42ENER PMV450ENEAR PMV45EN,215 PMV45EN2R PMV45EN2VL PMV48XP,215 PMV48XP/MIR PMV48XPAR PMV48XPVL PMV50ENEAR PMV50EPEAR PMV50UPE,215 PMV50UPEVL PMV50XPR PMV55ENEAR PMV56XN,215
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