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PMG.M0.2GL.LG

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 1/1頁 40條/頁 共1條 
  • 1
PMG.M0.2GL.LG PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 環(huán)形推拉式連接器 2P FIX RCPT SOLDER GRAY SQUARE FLANGE
  • RoHS
  • 制造商
  • Hirose Connector
  • 產(chǎn)品類型
  • Connectors
  • 系列
  • HR10
  • 觸點類型
  • Socket (Female)
  • 外殼類型
  • Receptacle
  • 觸點數(shù)量
  • 4
  • 外殼大小
  • 7
  • 安裝風格
  • Panel
  • 端接類型
  • Solder
  • 電流額定值
  • 2 A
PMG.M0.2GL.LG 技術(shù)參數(shù)
  • PMFPB8040XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.7A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):8.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):550pF @ 10V FET 功能:肖特基二極管(隔離式) 功率耗散(最大值):485mW(Ta),6.25W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):102 毫歐 @ 2.7A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:DFN2020-6 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 標準包裝:1 PMFPB8032XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.7A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):8.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):550pF @ 10V FET 功能:肖特基二極管(隔離式) 功率耗散(最大值):485mW(Ta),6.25W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):102 毫歐 @ 2.7A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:DFN2020-6 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 標準包裝:1 PMFPB6545UP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:二極管(隔離式) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 1A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):380pF @ 10V 功率 - 最大值:520mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:6-HUSON(2x2) 標準包裝:1 PMFPB6532UP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:二極管(隔離式) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 1A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):380pF @ 10V 功率 - 最大值:520mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:6-HUSON(2x2) 標準包裝:1 PMF87EN,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1.7A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):80 毫歐 @ 1.7A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):135pF @ 15V 功率 - 最大值:275mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 PMGD175XNEAX PMGD175XNEX PMGD280UN,115 PMGD290UCEAX PMGD290XN,115 PMGD370XN,115 PMGD400UN,115 PMGD780SN,115 PMGD8000LN,115 PMH0603-100 PMH0603-100-RC PMH0603-300 PMH0603-600 PMH0805-100 PMH0805-201 PMH0805-301 PMH0805-400 PMH0805-601
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