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型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠(chǎng)商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

PMDPB70XPE,115
深圳市歐和寧電子有限公司
深圳市歐和寧電子有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話(huà)：0755-292759351581559886118576729816
地址：廣東省深圳市福田區(qū) 華強(qiáng)北賽格科技園6C18室
69800
NXP
近兩年生產(chǎn)
DFN-6
-
每一片都來(lái)自原廠(chǎng)

PMDPB70XPE,115
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
0
原廠(chǎng)封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品進(jìn)口現(xiàn)貨電話(huà)010-62104...

PMDPB70XPE,115
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：何芝
電話(huà)：19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
12000
NXP
6HUSON
13+
-
原裝正品，現(xiàn)貨庫(kù)存

PMDPB70XPE,115
深圳市芯馳科技有限公司
深圳市芯馳科技有限公司
聯(lián)系人：丁皓鵬
電話(huà)：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029號(hào)南光捷佳大廈2331
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
10000
PHA
SOT1118
15+
-
原裝正品，價(jià)格優(yōu)勢(shì)！

PMDPB70XPE,115
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
聯(lián)系人：柯
電話(huà)：0755-83014603
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907
3000
NEXPERIA
價(jià)格優(yōu)勢(shì)
2507
-
全新原裝渠道現(xiàn)貨

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PMDPB70XPE,115 PDF下載

制造商
NXP Semiconductors
功能描述
Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 6-Pin HUSON EP T/R
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
PMDPB70XPE/HUSON6/REEL7// - Tape and Reel
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET P-CH DUAL 20V 6HUSON

PMDPB70XPE,115 技術(shù)參數(shù)

PMDPB70XP,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類(lèi)型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.9A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:87 毫歐 @ 2.9A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7.8nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:680pF @ 15V 功率 - 最大值:490mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商器件封裝:DFN2020-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMDPB70EN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:57 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:130pF @ 15V 功率 - 最大值:510mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020（2x2）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMDPB65UP,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 1A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:380pF @ 10V 功率 - 最大值:520mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商器件封裝:6-HUSON（2x2）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMDPB58UPE,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.6A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:67 毫歐 @ 2A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:9.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:804pF @ 10V 功率 - 最大值:515mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商器件封裝:DFN2020-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMDPB56XNEAX 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.1A DFN2020D-6 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.1A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:72 毫歐 @ 3.1A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:5nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:256pF @ 15V 功率 - 最大值:485mW（Ta）工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商器件封裝:DFN2020D-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMDR-20-29 PMDR-3 PMDR-30-39 PMDR-4 PMDR-40-49 PMDR-5 PMDR-50-59 PMDR-6 PMDR-60-69 PMDR-7 PMDR-70-79 PMDR-8 PMDR-80-89 PMDR-9 PMDR-90-99 PMDR-A PMDR-B PMDR-BL

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