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PHN210,118

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  • PHN210,118
    PHN210,118

    PHN210,118

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

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  • 標準封裝

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  • PHN210,118
    PHN210,118

    PHN210,118

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

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    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

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    PHN210,118

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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

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  • PHN210,118
    PHN210,118

    PHN210,118

  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:134242936540755-83690762

    地址:深圳市福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場A座1503

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 14260

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  • PHN210,118
    PHN210,118

    PHN210,118

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

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  • 功能描述
  • MOSFET TAPE13 MOSFET
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
PHN210,118 技術(shù)參數(shù)
  • PHL5830AL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8HVSON 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:- 封裝/外殼:- 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 PHL3212 功能描述:LABEL 3"X1.5" BLUE/RED/WHITE 制造商:panduit corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 類型:標簽 標簽類型:- 標簽尺寸:3.00" 長 x 1.50" 寬(76.2mm x 38.1mm) 材料:乙烯基 顏色:藍色,紅色,白色 配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:- 標準包裝:1 PHK04P02T,518 功能描述:MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):16V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.66A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):600mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):7.2nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):528pF @ 12.8V FET 功能:- 功率耗散(最大值):5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 1A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:8-SO 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 標準包裝:1 PHG.1B.308.CLLD52Z 功能描述:8 Position Circular Connector Receptacle, Female Sockets Solder Cup Gold 制造商:lemo 系列:1B 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 連接器類型:插座,母形插口 針腳數(shù):8 外殼尺寸 - 插件:308 外殼尺寸,MIL:- 安裝類型:自由懸掛 端接:焊杯 緊固類型:推挽式,銷鎖 朝向:G 侵入防護:IP50 - 防塵 外殼材料,鍍層:黃銅,鍍鉻 觸頭鍍層:金 特性:后殼,屏蔽 觸頭鍍層厚度:59μin(1.50μm) 額定電流:- 電壓 - 額定:- 工作溫度:-55°C ~ 250°C 標準包裝:1 PHG.1B.306.CLLD52Z 功能描述:6 Position Circular Connector Receptacle, Female Sockets Solder Cup Gold 制造商:lemo 系列:1B 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 連接器類型:插座,母形插口 針腳數(shù):6 外殼尺寸 - 插件:306 外殼尺寸,MIL:- 安裝類型:自由懸掛 端接:焊杯 緊固類型:推挽式,銷鎖 朝向:G 侵入防護:IP50 - 防塵 外殼材料,鍍層:黃銅,鍍鉻 觸頭鍍層:金 特性:后殼,屏蔽 觸頭鍍層厚度:59μin(1.50μm) 額定電流:- 電壓 - 額定:- 工作溫度:-55°C ~ 250°C 標準包裝:1 PHP.0F.305.NLM PHP.0F.305.XLM PHP.1F.308.XLM PHP.2F.308.XLM PHP.2M.319.XLMT PHP00603E1000BBT1 PHP00603E1000BST1 PHP00603E1001BBT1 PHP00603E1001BST1 PHP00603E1002BBT1 PHP00603E1002BST1 PHP00603E1010BBT1 PHP00603E1010BST1 PHP00603E1011BBT1 PHP00603E1011BST1 PHP00603E1012BBT1 PHP00603E1012BST1 PHP00603E1020BBT1
配單專家

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